Beijing Xingan Technology Co., Ltd. konzentréiert sech op déi drëtt Generatioun Halbleiter Siliziumkarbid Kraaftapparater

119
Beijing Xingan Technology Co., Ltd. konzentréiert sech op d'R&D an d'Produktioun vun Drëtt-Generatioun Halbleiter Siliziumkarbid Kraaftapparater, Moduler a Moduler, an ass engagéiert fir de féierende Power Semiconductor Reform Leader a China ze ginn. D'Firma huet erfollegräich en Drëtt-Generatioun Halbleiter Power Modul R&D a Produktiounsbasisprojet mat enger Gesamtinvestitioun vu méi wéi 1 Milliard Yuan ënnerschriwwen. Koupen, Photovoltaik, Industrie, asw Felder. Et gëtt erwaart an d'Produktioun 2025 gesat ze ginn, mat enger voller Produktiounskapazitéit vun ongeféier 1,29 Millioune Stécker pro Joer an engem jährlechen Ausgangswäert vu méi wéi 1,5 Milliarde Yuan.