Óxido de galio: mbyja esperanza rehegua umi semiconductor irundyha generación-pe g̃uarã

Peteĩ material semiconductor irundyha generación ramo, óxido de galio ogueraha atención umi propiedad iporãitereíva rehe. Imba'e banda amplia, campo de ruptura crítica yvate mbarete, ha característica conducción iporãva oñeha'ãrõ omoambue mercado semiconductor compuesto ko'ágã.