Omkostningsproblemer i siliciumcarbid industrikæden

Den udbredte anvendelse af siliciumcarbidanordninger er begrænset af høje produktionsomkostninger, især omkostningerne ved substrat og epitaksiale processer, som tegner sig for op til 70%. I modsætning hertil er produktionsomkostningerne for back-end wafer for siliciumbaserede enheder relativt høje, der tegner sig for 50 %, og substratomkostningerne udgør kun 7 %.