Kostenkwesties in de keten van de siliciumcarbide-industrie

De wijdverbreide toepassing van siliciumcarbide-apparaten wordt beperkt door hoge productiekosten, vooral de kosten van substraat- en epitaxiale processen, die tot 70% bedragen. Daarentegen zijn de back-end waferproductiekosten van op silicium gebaseerde apparaten relatief hoog, goed voor 50%, en de substraatkosten slechts voor 7%.