ON Semiconductor bringt IGBT-Modul der 7. Generation auf den Markt, um Anwendungen im Bereich erneuerbare Energien zu unterstützen

ON Semiconductor hat sein 1200-V-QDual3-IGBT-Leistungsmodul (Insulated Gate Bipolar Transistor) der siebten Generation auf den Markt gebracht. Das Modul verfügt über eine höhere Leistungsdichte und eine um 10 % höhere Ausgangsleistung als vergleichbare Produkte. Das QDual3-Modul basiert auf der neuen Field-Stop-IGBT-Technologie der 7. Generation (FS7), die branchenführende Energieeffizienz bietet und dazu beiträgt, die Systemkosten zu senken und das Design zu vereinfachen.