ON Semiconductor lance un module IGBT de 7e génération pour prendre en charge les applications d'énergie renouvelable

ON Semiconductor a lancé son module d'alimentation à transistor bipolaire à grille isolée (IGBT) 1 200 V QDual3 de septième génération. Le module a une densité de puissance plus élevée et une puissance de sortie 10 % supérieure à celle des produits similaires. Le module QDual3 est basé sur la nouvelle technologie IGBT à arrêt de champ de 7e génération (FS7), offrant des performances d'efficacité énergétique de pointe, contribuant ainsi à réduire les coûts du système et à simplifier la conception.