ON Semiconductor lanceert IGBT-module van de 7e generatie ter ondersteuning van toepassingen op het gebied van hernieuwbare energie

ON Semiconductor heeft zijn zevende generatie 1200V QDual3 geïsoleerde poort bipolaire transistor (IGBT) voedingsmodule uitgebracht. De module heeft een hogere vermogensdichtheid en een uitgangsvermogen dat 10% hoger is dan vergelijkbare producten. De QDual3-module is gebaseerd op de nieuwe field-stop 7e generatie (FS7) IGBT-technologie, die toonaangevende energie-efficiëntieprestaties levert, de systeemkosten helpt verlagen en het ontwerp vereenvoudigt.