ON Semiconductor lancerer 7. generations IGBT-modul til at understøtte vedvarende energiapplikationer
1200V
IGBT
Semi
ON Semiconductor
del
transistor
tæthed
rat
design
ring
udgang
effektivitet
ON Semiconductor
2025-01-04 18:20
86
ON Semiconductor har frigivet sin syvende generation af 1200V QDual3-isoleret gate bipolær transistor (IGBT) strømmodul. Modulet har en højere effekttæthed og en udgangseffekt, der er 10 % højere end tilsvarende produkter. QDual3-modulet er baseret på den nye field-stop 7. generation (FS7) IGBT-teknologi, der bringer brancheførende energieffektivitetsydelse, der hjælper med at reducere systemomkostninger og forenkle design.
