ON Semiconductor lanza módulo IGBT de séptima generación para admitir aplicaciones de energía renovable

ON Semiconductor ha lanzado su módulo de potencia de transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) QDual3 de 1200 V de séptima generación. El módulo tiene una mayor densidad de potencia y una potencia de salida un 10% mayor que productos similares. El módulo QDual3 se basa en la nueva tecnología IGBT de parada de campo de séptima generación (FS7), que brinda un rendimiento de eficiencia energética líder en la industria, lo que ayuda a reducir los costos del sistema y simplificar el diseño.