ON Semiconductor lancia il modulo IGBT di settima generazione per supportare le applicazioni di energia rinnovabile

ON Semiconductor ha rilasciato il suo modulo di potenza con transistor bipolare a gate isolato (IGBT) di settima generazione da 1200 V QDual3. Il modulo ha una densità di potenza maggiore e una potenza di uscita superiore del 10% rispetto a prodotti simili. Il modulo QDual3 si basa sulla nuova tecnologia IGBT field-stop di settima generazione (FS7), che offre prestazioni di efficienza energetica leader del settore, contribuendo a ridurre i costi di sistema e a semplificare la progettazione.