Η ON Semiconductor λανσάρει μονάδα IGBT 7ης γενιάς για την υποστήριξη εφαρμογών ανανεώσιμης ενέργειας

Η ON Semiconductor κυκλοφόρησε τη μονάδα ισχύος διπολικού τρανζίστορ (IGBT) με μόνωση πύλης έβδομης γενιάς 1200V QDual3. Η μονάδα έχει μεγαλύτερη πυκνότητα ισχύος και ισχύ εξόδου που είναι 10% υψηλότερη από παρόμοια προϊόντα. Η μονάδα QDual3 βασίζεται στη νέα τεχνολογία IGBT 7ης γενιάς (FS7), φέρνοντας κορυφαίες επιδόσεις ενεργειακής απόδοσης στον κλάδο, συμβάλλοντας στη μείωση του κόστους του συστήματος και στην απλοποίηση του σχεδιασμού.