ON Semiconductor lanserer 7. generasjons IGBT-modul for å støtte fornybare energiapplikasjoner

ON Semiconductor har sluppet sin syvende generasjon 1200V QDual3 isolert gate bipolar transistor (IGBT) kraftmodul. Modulen har en høyere effekttetthet og en utgangseffekt som er 10 % høyere enn tilsvarende produkter. QDual3-modulen er basert på den nye field-stop 7. generasjons (FS7) IGBT-teknologien, som gir bransjeledende energieffektivitet, bidrar til å redusere systemkostnader og forenkle design.