ON Semiconductor, yenilenebilir enerji uygulamalarını desteklemek için 7. nesil IGBT modülünü piyasaya sürdü
W-HUD
1200V
O
O
IGBT
mali
performans
transistör
yalıtım
maliyet
yük
yük
güç
tasarım
veri
çıkış
maliyet
S7
2025-01-04 18:21
86
ON Semiconductor, yedinci nesil 1200V QDual3 yalıtımlı geçit bipolar transistör (IGBT) güç modülünü piyasaya sürdü. Modül, benzer ürünlere göre daha yüksek güç yoğunluğuna ve %10 daha yüksek çıkış gücüne sahiptir. QDual3 modülü, yeni saha durdurma 7. nesil (FS7) IGBT teknolojisine dayalı olup, sektör lideri enerji verimliliği performansı getirerek sistem maliyetlerinin azaltılmasına ve tasarımın basitleştirilmesine yardımcı olur.
