ON Semiconductor запускает модуль IGBT 7-го поколения для поддержки приложений возобновляемой энергетики

Компания ON Semiconductor выпустила модуль питания на биполярном транзисторе с изолированным затвором (IGBT) QDual3 седьмого поколения на 1200 В. Модуль имеет более высокую удельную мощность и выходную мощность, которая на 10% выше, чем у аналогичных продуктов. Модуль QDual3 основан на новой инновационной технологии IGBT 7-го поколения (FS7), обеспечивающей лучшие в отрасли показатели энергоэффективности, помогая снизить системные затраты и упростить конструкцию.