ON Semiconductor wprowadza na rynek moduł IGBT siódmej generacji do obsługi zastosowań w zakresie energii odnawialnej

Firma ON Semiconductor wypuściła na rynek moduł zasilania z tranzystorem bipolarnym z izolowaną bramką (IGBT) siódmej generacji 1200 V QDual3. Moduł charakteryzuje się wyższą gęstością mocy i mocą wyjściową wyższą o 10% w porównaniu z podobnymi produktami. Moduł QDual3 opiera się na nowej technologii IGBT siódmej generacji (FS7) z blokadą pola, zapewniając wiodącą w branży wydajność energetyczną, pomagając obniżyć koszty systemu i uprościć projektowanie.