ON Semiconductor uvádza na trh modul IGBT 7. generácie na podporu aplikácií obnoviteľnej energie

ON Semiconductor uviedla na trh siedmu generáciu napájacieho modulu 1200 V QDual3 s izolovaným hradlom s bipolárnym tranzistorom (IGBT). Modul má vyššiu hustotu výkonu a výstupný výkon, ktorý je o 10 % vyšší ako u podobných produktov. Moduly QDual3 sú založené na novej technológii IGBT 7. generácie (FS7), ktorá prináša špičkový výkon v oblasti energetickej účinnosti, pomáha znižovať systémové náklady a zjednodušovať dizajn.