ON Semiconductor uvádí na trh modul IGBT 7. generace pro podporu aplikací obnovitelné energie

ON Semiconductor uvedla na trh sedmou generaci napájecího modulu 1200V QDual3 s izolovaným hradlem s bipolárním tranzistorem (IGBT). Modul má vyšší hustotu výkonu a výstupní výkon, který je o 10 % vyšší než u podobných produktů. Modul QDual3 je založen na nové technologii IGBT 7. generace (FS7), která přináší špičkovou energetickou účinnost, pomáhá snižovat náklady na systém a zjednodušovat design.