Az ON Semiconductor elindítja a 7. generációs IGBT modult a megújuló energiaforrások támogatására

Az ON Semiconductor kiadta hetedik generációs 1200 V-os QDual3 szigetelt kapu bipoláris tranzisztoros (IGBT) tápmodulját. A modul teljesítménysűrűsége nagyobb, kimeneti teljesítménye pedig 10%-kal nagyobb, mint a hasonló termékek. A QDual3 modul az új, 7. generációs (FS7) IGBT technológián alapul, amely iparágvezető energiahatékonysági teljesítményt nyújt, segít csökkenteni a rendszer költségeit és egyszerűsíteni a tervezést.