ON Semiconductor запускає IGBT-модуль сьомого покоління для підтримки відновлюваних джерел енергії

86
Компанія ON Semiconductor випустила свій модуль живлення сьомого покоління 1200 В QDual3 з біполярним транзистором із ізольованим затвором (IGBT). Модуль має більш високу щільність потужності та вихідну потужність, що на 10% вище аналогічних продуктів. Модуль QDual3 заснований на новій технології IGBT 7-го покоління (FS7), яка забезпечує найкращі в галузі показники енергоефективності, допомагає знизити витрати на систему та спростити конструкцію.