ON Semiconductor meluncurkan modul IGBT generasi ke-7 untuk mendukung aplikasi energi terbarukan
peredam kejut
IGBT
Semi
transistor
isolasi
ban
kepadatan
Modul
Modul
biaya
isolasi
desain
data
dasar
dasar
anak
biaya
efisiensi
industri
ini
2025-01-04 18:22
86
ON Semiconductor telah merilis modul daya transistor bipolar gerbang terisolasi (IGBT) 1200V QDual3 generasi ketujuh. Modul ini memiliki kepadatan daya yang lebih tinggi dan daya keluaran 10% lebih tinggi dibandingkan produk sejenis. Modul QDual3 didasarkan pada teknologi IGBT generasi ke-7 (FS7) yang baru, menghadirkan kinerja efisiensi energi terdepan di industri, membantu mengurangi biaya sistem dan menyederhanakan desain.
