ON Semiconductor melancarkan modul IGBT generasi ke-7 untuk menyokong aplikasi tenaga boleh diperbaharui
1200V
IGBT
Semi
prestasi
transistor
tinggi
ketumpatan
Modul
Modul
kos
kuasa
rangka
reka bentuk
keluar
kos
dasar
kecekapan
industri
2025-01-04 18:22
86
ON Semiconductor telah mengeluarkan modul kuasa transistor bipolar (IGBT) get 1200V QDual3 terlindung generasi ketujuhnya. Modul ini mempunyai ketumpatan kuasa yang lebih tinggi dan kuasa keluaran yang 10% lebih tinggi daripada produk yang serupa. Modul QDual3 adalah berdasarkan teknologi IGBT generasi ke-7 (FS7) hentian lapangan baharu, membawakan prestasi kecekapan tenaga peneraju industri, membantu mengurangkan kos sistem dan memudahkan reka bentuk.
