Inilunsad ng ON Semiconductor ang ika-7 henerasyong IGBT module upang suportahan ang mga aplikasyon ng nababagong enerhiya

Inilabas ng ON Semiconductor ang ikapitong henerasyon nitong 1200V QDual3 insulated gate bipolar transistor (IGBT) power module. Ang module ay may mas mataas na power density at isang output power na 10% na mas mataas kaysa sa mga katulad na produkto. Ang QDual3 module ay nakabatay sa bagong field-stop 7th generation (FS7) IGBT na teknolohiya, na nagdadala sa nangunguna sa industriya na kahusayan sa pagganap ng enerhiya, na tumutulong na bawasan ang mga gastos sa system at pasimplehin ang disenyo.