تطلق شركة ON Semiconductor وحدة IGBT من الجيل السابع لدعم تطبيقات الطاقة المتجددة

أصدرت شركة ON Semiconductor وحدة الطاقة ذات البوابة المعزولة ثنائية القطب (IGBT) من الجيل السابع بقدرة 1200 فولت QDual3. تتميز الوحدة بكثافة طاقة أعلى وطاقة خرج أعلى بنسبة 10% من المنتجات المماثلة. تعتمد وحدة QDual3 على تقنية IGBT من الجيل السابع (FS7) الجديدة، مما يوفر أداءً رائدًا في مجال كفاءة الطاقة، مما يساعد على تقليل تكاليف النظام وتبسيط التصميم.