DE Semiconductor 7th generationis IGBT moduli inmittit ad applicationes energiae renovandas

DE Semiconductor suam septimam generationem 1200V QDual3 portam transistoris bipolaris insulatam (IGBT) virtutis moduli dimisit. Modulus vim maiorem densitatis et output potentiam quae est 10% altior quam similia producta habet. Modulus QDual3 in novo campo stop 7 generationis (FS7) fundatur IGBT technicae industriae ducens efficientiam industriam perficiendi, adiuvans ad redigendum impensas ratio et consilium simpliciorem reddens.