ON Semiconductor omoherakuã módulo IGBT 7a generación oipytyvõva aplicaciones energía renovable

2025-01-04 18:23
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ON Semiconductor oguenohẽ séptima generación 1200V QDual3 aislado gate bipolar transistor (IGBT) módulo de potencia. Ko módulo oguereko densidad de potencia yvateve ha potencia salida 10% yvateve umi producto ojoguávagui. Umi módulo QDual3 oñemopyenda tecnología pyahu field-stop 7a generación (FS7) IGBT, oguerúva rendimiento eficiencia energética industria-pe, oipytyvõva omboguejy haguã costo sistema ha omohesakãva diseño.