800V plattform og silisiumkarbid fremmer i fellesskap eksplosjonen av markedet for nye energibiler

61
800V-plattformen og silisiumkarbid fremmer sammen eksplosjonen av markedet for nye energibiler. I segmenterte applikasjoner har hovedvekselretteren, som kjernen og det mest verdifulle feltet, tatt i bruk rene SiC MOSFET-alternativer, mens OBC og DC-DC fortsatt bruker SiC SBD som en overgang på kort sikt.