Платформа 800 В и карбид кремния совместно способствуют стремительному развитию рынка транспортных средств на новых источниках энергии.

Платформа 800 В и карбид кремния совместно способствуют взрывному росту рынка транспортных средств на новой энергии. В сегментированных приложениях главный инвертор, как основная и наиболее ценная область, использует альтернативу чистым SiC MOSFET, в то время как OBC и DC-DC все еще используют SiC SBD в качестве краткосрочного перехода.