旭化成氮化鋁半導體基板材料使用面積增加至4.5倍

日本旭化成成功將其功率半導體用氮化鋁基板的使用面積擴大至以往的4.5倍。採用直徑4吋（約100毫米）的基板，使用面積從原來的80%擴大至99%。該公司計劃開始向半導體廠商供應樣品，並力爭2027年實現基板的實用化。