三星完成HBM4内存的逻辑芯片设计，预计2025年下半年量产

三星DS部门的存储业务部已经完成了HBM4内存的逻辑芯片设计，并且已经开始使用4nm工艺进行试产。HBM4内存因其卓越性能，在高性能计算、人工智能和图形处理等领域发挥着重要作用。由于运行时的发热问题一直困扰着HBM的发展，逻辑芯片成为了发热的主要来源。因此，采用先进的制程技术对于提升HBM4的能效与性能表现至关重要。三星除了使用自家的4nm技术制造逻辑芯片外，还引入了10nm制程来生产DRAM，以打造更为出色的HBM4产品。