Xingdi Technology GaN 에피택셜 웨이퍼 생산 라인 프로젝트에는 막대한 투자가 이루어졌습니다.

Xingdi 기술 프로젝트의 총 투자액은 최대 30억 위안이며, 그 중 1단계 투자액은 10억 위안이며, 이는 반도체 생산 공장 및 지원 시설을 계획 및 건설하는 데 사용됩니다. 프로젝트 리더에 따르면 프로젝트 건설 기간은 18개월이며 연간 12만장의 6인치 GaN 에피택셜 웨이퍼를 생산할 것으로 예상된다.