Xingdi Technology GaN эпитаксиаль өрөм үйлдвэрлэх шугамын төсөл нь асар их хөрөнгө оруулалттай

Шинди технологийн төслийн нийт хөрөнгө оруулалтын хэмжээ 3 тэрбум юань хүрэх бөгөөд эхний шатны хөрөнгө оруулалт нь 1 тэрбум юань бөгөөд энэ хөрөнгөөр ​​хагас дамжуулагч үйлдвэрлэх үйлдвэр, туслах байгууламжийг төлөвлөн барихад зарцуулна. Төслийн удирдагчийн хэлснээр, төслийн барилгын хугацаа 18 сар бөгөөд жилд 120,000 ширхэг 6 инчийн GaN эпитаксиаль хавтан үйлдвэрлэх төлөвтэй байна.