Projekti i linjës së prodhimit të vaferës epitaksiale Xingdi Technology GaN ka një investim të madh

Investimi total në Projektin e Teknologjisë Xingdi është deri në 3 miliardë juanë, nga të cilat investimi i fazës së parë është 1 miliard juanë, i cili do të përdoret për të planifikuar dhe ndërtuar impiante të prodhimit gjysmëpërçues dhe objekte mbështetëse. Sipas drejtuesit të projektit, periudha e ndërtimit të projektit është 18 muaj dhe pritet të prodhojë 120,000 vafera epitaksiale GaN 6 inç në vit.