Xingdi နည်းပညာ GaN epitaxial wafer ထုတ်လုပ်မှုလိုင်းစီမံကိန်းတွင်ကြီးမားသောရင်းနှီးမြှုပ်နှံမှုရှိသည်။

Xingdi နည်းပညာပရောဂျက်တွင် စုစုပေါင်း ရင်းနှီးမြှုပ်နှံမှုမှာ ယွမ် ၃ ဘီလီယံအထိရှိပြီး ပထမအဆင့် ရင်းနှီးမြှုပ်နှံမှုမှာ ယွမ် ၁ ဘီလီယံဖြစ်ပြီး ဆီမီးကွန်ဒတ်တာ ထုတ်လုပ်သည့် စက်ရုံများနှင့် အထောက်အကူပြု အဆောက်အဦများ ဆောက်လုပ်ရန်အတွက် အသုံးပြုမည်ဖြစ်သည်။ ပရောဂျက်ခေါင်းဆောင်၏အဆိုအရ၊ ပရောဂျက်တည်ဆောက်ရေးကာလမှာ ၁၈ လဖြစ်ပြီး နှစ်စဉ် 6 လက်မ GaN epitaxial wafers 120,000 ထုတ်လုပ်ရန် မျှော်လင့်ထားသည်။