Projek barisan pengeluaran wafer epitaxial Xingdi Technology GaN mempunyai pelaburan yang besar

Jumlah pelaburan dalam Projek Teknologi Xingdi adalah sehingga 3 bilion yuan, di mana pelaburan fasa pertama ialah 1 bilion yuan, yang akan digunakan untuk merancang dan membina loji pengeluaran semikonduktor dan kemudahan sokongan. Menurut ketua projek itu, tempoh pembinaan projek adalah 18 bulan dan dijangka menghasilkan 120,000 wafer epitaxial GaN 6 inci setiap tahun.