គម្រោងខ្សែសង្វាក់ផលិតកម្ម Xingdi Technology GaN epitaxial wafer មានការវិនិយោគដ៏ធំ

ការវិនិយោគសរុបនៅក្នុងគម្រោងបច្ចេកវិទ្យា Xingdi មានចំនួនដល់ទៅ 3 ពាន់លានយន់ ដែលក្នុងនោះការវិនិយោគដំណាក់កាលដំបូងមានចំនួន 1 ពាន់លានយន់ ដែលនឹងប្រើប្រាស់សម្រាប់រៀបចំផែនការ និងសាងសង់រោងចក្រផលិត semiconductor និងសម្ភារៈជំនួយ។ យោងតាមប្រធានគម្រោង រយៈពេលនៃការសាងសង់គម្រោងគឺ 18 ខែ ហើយត្រូវបានគេរំពឹងថានឹងផលិត 120,000 6-inch GaN epitaxial wafers ជារៀងរាល់ឆ្នាំ។