Xingdi প্রযুক্তি GaN এপিটাক্সিয়াল ওয়েফার উত্পাদন লাইন প্রকল্পে বিশাল বিনিয়োগ রয়েছে

Xingdi প্রযুক্তি প্রকল্পে মোট বিনিয়োগ 3 বিলিয়ন ইউয়ান পর্যন্ত, যার মধ্যে প্রথম পর্যায়ের বিনিয়োগ 1 বিলিয়ন ইউয়ান, যা সেমিকন্ডাক্টর উত্পাদন কেন্দ্র এবং সহায়ক সুবিধাগুলির পরিকল্পনা ও নির্মাণের জন্য ব্যবহার করা হবে। প্রকল্পের নেতার মতে, প্রকল্প নির্মাণের সময়কাল 18 মাস এবং বার্ষিক 120,000 6-ইঞ্চি GaN এপিটাক্সিয়াল ওয়েফার উত্পাদন করবে বলে আশা করা হচ্ছে।