三星完成HBM4記憶體的邏輯晶片設計，預計2025年下半年量產

三星DS部門的儲存業務部門已經完成了HBM4記憶體的邏輯晶片設計，並且已經開始使用4nm製程進行試產。 HBM4記憶體因其卓越性能，在高效能運算、人工智慧和圖形處理等領域發揮重要作用。由於運作時的發熱問題一直困擾著HBM的發展，邏輯晶片成為了發熱的主要來源。因此，採用先進的製程技術對於提升HBM4的能源效率與效能表現至關重要。三星除了使用自家的4nm技術製造邏輯晶片外，還引進了10nm製程來生產DRAM，以打造更優秀的HBM4產品。