韓國SK啟蒙半導體在GaN元件上取得突破

近日，韓國SK啟方半導體公司在GaN元件領域取得重要突破，宣布將於年底完成650V氮化鎵HEMT的開發。 SK啟方半導體成立於2020年，專注於8吋氮化鎵製程技術的研發。 SK啟方半導體已於2023年第三季採購愛思強的金屬有機化學氣相沉積（MOCVD）設備，以加速8吋GaN代工服務的商業化進程，目標是在2025年至2026年實現這一目標。