A dél-koreai SK Qifang Semiconductor áttörést ért el a GaN eszközök terén

A közelmúltban a dél-koreai SK Semiconductor Company fontos áttörést ért el a GaN eszközök területén, és bejelentette, hogy az év végéig befejezi a 650 V-os gallium-nitrid HEMT-ek fejlesztését. Az SK Qifang Semiconductor 2020-ban alakult, és a 8 hüvelykes gallium-nitrid technológia kutatására és fejlesztésére összpontosít. Az SK Qifang Semiconductor 2023 harmadik negyedévében megvásárolta az Aixtron fém-szerves kémiai gőzfázisú leválasztási (MOCVD) berendezését, hogy felgyorsítsa a 8 hüvelykes GaN öntödei szolgáltatások kereskedelmi forgalomba hozatalát. A cél ennek elérése 2025-től 2026-ig.