Південнокорейська SK Qifang Semiconductor зробила прорив у пристроях GaN

Нещодавно південнокорейська компанія SK Semiconductor зробила важливий прорив у галузі GaN-пристроїв і оголосила, що до кінця року завершить розробку HEMT на 650 В нітриду галію. SK Qifang Semiconductor була заснована в 2020 році і зосереджена на дослідженні та розробці 8-дюймової технології виробництва нітриду галію. Компанія SK Qifang Semiconductor придбала обладнання Aixtron для хімічного осадження з парової фази (MOCVD) у третьому кварталі 2023 року, щоб прискорити процес комерціалізації послуг ливарного виробництва 8-дюймового GaN, щоб досягти цієї мети з 2025 по 2026 рік.