Fujian Jingxu Semiconductor Technology investerer 1,68 milliarder kroner for å bygge nye prosjekter

Den andre faseprosjektet til Fujian Jingxu Semiconductor Technology Co., Ltd. - et høyfrekvent filterbrikkeproduksjonsprosjekt basert på det nye materialet av galliumoksid piezoelektrisk film, har en total investering på 1,68 milliarder yuan og planlegger å bygge et industrianlegg som dekker et område på 136 dekar. Dette prosjektet vil etablere verdens første ultra-brede båndgap halvleder høyfrekvente filterbrikke produksjonslinje.