Fujian Jingxu Semiconductor Technology инвестирует 1,68 миллиарда долларов в строительство новых проектов

Второй этап проекта компании Fujian Jingxu Semiconductor Technology Co., Ltd. - проект по производству чипов высокочастотных фильтров на основе нового материала пьезоэлектрической пленки из оксида галлия, имеет общий объем инвестиций в 1,68 миллиарда юаней и планирует построить промышленное предприятие, покрывающее Площадь 136 соток. В рамках этого проекта будет создана первая в мире линия по производству полупроводниковых высокочастотных фильтров со сверхширокозонной зоной.