Кингцхун Семицондуцтор и Ксизхи Тецхнологи потписали су споразум о стратешкој сарадњи за прилагођавање и развој аутомобилских СиЦ чипова

Кингцхун Семицондуцтор и Ксизхи Тецхнологи недавно су потписали споразум о стратешкој сарадњи за прилагођени развој СиЦ чипова за енергетске модуле за електрични погон возила и модуле за напајање. Кингцхун Семицондуцтор ће пружити техничку подршку Ксизхи технологији како би јој помогао да постигне иновативне надоградње и побољшања перформанси у области аутомобилских СиЦ енергетских модула. Две стране ће заједно развијати напреднија, ефикаснија и поузданија СиЦ решења за нова енергетска возила.