三星電子發布新的儲存路線圖

三星電子近日發布了新的儲存路線圖，計劃在未來幾年內推出一系列創新的儲存解決方案。其中，最引人注目的是將在2026年推出的超過400層的下一代V-NAND技術和2027年推出的基於VCT結構的0a nm DRAM。這些新技術將有助於提高儲存設備的效能和容量，以滿足不斷增長的資料處理需求。