サムスン電子が新しいストレージロードマップを発表

Samsung Electronics は最近、新しいストレージ ロードマップを発表し、今後数年間で一連の革新的なストレージ ソリューションを発売する予定です。その中で最も目を引くのは、2026年に発売予定の400層以上の次世代V-NAND技術と、2027年に発売予定のVCT構造ベースの0a nm DRAMだ。これらの新しいテクノロジーは、ストレージ デバイスのパフォーマンスと容量を向上させ、増大するデータ処理ニーズに対応するのに役立ちます。