Samsung Electronics хадгалах сангийн шинэ замын зураглалыг гаргалаа

Samsung Electronics саяхан хадгалах сангийн шинэ замын зураглалыг гаргасан бөгөөд ойрын хэдэн жилдээ хэд хэдэн шинэлэг хадгалах шийдлүүдийг гаргахаар төлөвлөж байна. Тэдгээрийн дотроос хамгийн анхаарал татсан зүйл бол 2026 онд ашиглалтад орох 400 гаруй давхарга бүхий дараагийн үеийн V-NAND технологи, 2027 онд ашиглалтад орсон VCT бүтцэд суурилсан 0a nm DRAM юм. Эдгээр шинэ технологи нь өгөгдөл боловсруулах өсөн нэмэгдэж буй хэрэгцээг хангахын тулд хадгалах төхөөрөмжийн гүйцэтгэл, хүчин чадлыг сайжруулахад туслах болно.