Samsung Electronics veröffentlicht neue Speicher-Roadmap

Samsung Electronics hat kürzlich eine neue Speicher-Roadmap veröffentlicht und plant, in den nächsten Jahren eine Reihe innovativer Speicherlösungen auf den Markt zu bringen. Am auffälligsten sind unter ihnen die V-NAND-Technologie der nächsten Generation mit mehr als 400 Schichten, die 2026 auf den Markt kommen soll, und der 0a-nm-DRAM auf Basis der VCT-Struktur, der 2027 auf den Markt kommt. Diese neuen Technologien werden dazu beitragen, die Leistung und Kapazität von Speichergeräten zu verbessern, um den wachsenden Datenverarbeitungsanforderungen gerecht zu werden.