삼성전자, 차세대 V낸드 기술 출시 예정

국내 언론 보도에 따르면 삼성전자는 2026년 400단 이상의 차세대 V낸드 기술을 출시하고, 2027년에는 VCT 구조를 기반으로 한 0a nm D램을 출시할 계획이다. 이 새로운 유형의 V-NAND 기술은 BV(Bonding Vertical) NAND라고 합니다. 메모리 셀과 주변 회로를 별도로 제조한 후 수직 본딩을 수행하여 NAND 적층 공정을 피함으로써 기존 CoP 주변 셀 구조를 변경합니다. 주변 회로 구조를 손상시키지 않으며 CoP 솔루션보다 60% 높은 비트 밀도를 달성할 수 있습니다. 또한 2027년에는 V11 NAND 레이어 수를 더욱 늘려 I/O 속도를 50%까지 높일 수 있으며 향후 수천 레이어 적층도 달성할 것으로 예상된다.