Samsung Electronics шинэ үеийн V-NAND технологийг нэвтрүүлэхээр төлөвлөж байна

Солонгосын хэвлэл мэдээллийн хэрэгслүүдийн мэдээлснээр, Samsung Electronics 2026 онд 400 гаруй давхарга бүхий шинэ үеийн V-NAND технологийг, 2027 онд VCT бүтцэд суурилсан 0a nm DRAM-ыг гаргахаар төлөвлөж байна. Энэхүү шинэ төрлийн V-NAND технологийг BV (Bonding Vertical) NAND гэж нэрлэдэг бөгөөд энэ нь санах ойн эсүүд болон захын хэлхээг тусад нь үйлдвэрлэж, дараа нь босоо холболтыг гүйцэтгэх замаар NAND stacking процессоос зайлсхийх болно захын хэлхээний бүтцийг гэмтээхгүй байх ба ТБ уусмалаас 60%-иар өндөр нягтралд хүрч чадна. Нэмж дурдахад 2027 онд V11 NAND давхаргын тоог цаашид нэмэгдүүлж, оролт / гаралтын хурдыг 50% -иар нэмэгдүүлэх боломжтой бөгөөд ирээдүйд олон мянган давхаргыг давхарлах боломжтой болно.