Samsung Electronics plant die Einführung der V-NAND-Technologie der nächsten Generation

Laut koreanischen Medienberichten plant Samsung Electronics, im Jahr 2026 die V-NAND-Technologie der nächsten Generation mit mehr als 400 Schichten auf den Markt zu bringen und im Jahr 2027 0a-nm-DRAM auf Basis der VCT-Struktur auf den Markt zu bringen. Diese neue V-NAND-Technologie heißt BV (Bonding Vertical) NAND. Sie verändert die bestehende CoP-Peripheriezellenstruktur, indem sie die Speicherzellen und Peripherieschaltkreise getrennt herstellt und dann ein vertikales Bonding durchführt, wodurch der NAND-Stacking-Prozess vermieden wird die periphere Schaltungsstruktur und kann eine um 60 % höhere Bitdichte als die CoP-Lösung erreichen. Darüber hinaus wird die Anzahl der V11-NAND-Schichten im Jahr 2027 weiter erhöht, die I/O-Rate kann um 50 % gesteigert werden und es wird erwartet, dass in Zukunft Tausende von Stapelschichten erreicht werden.